研判2025！中国碳化硅晶片‌行业产业链全景、发展现状、企业布局及未来发展趋势分析：大尺寸技术突破与多元应用拓展并进，国产替代加速突围【图】

内容概要：碳化硅晶片作为第三代半导体核心材料，是功率器件制造的基础，其性能、成本与可靠性直接决定下游应用效果。我国高度重视其发展，出台一系列政策从战略引导、技术创新等多维度构建支撑体系，推动产业链完善与市场拓展。产业链中，衬底与外延片为核心环节，衬底技术壁垒高、价值占比大，成本占器件总成本47%，2024年全球市场规模达92亿元，预计2025年增至123亿元。中国作为全球最大应用市场，正处快速发展阶段，2024年碳化硅晶片市场规模约16亿元，预计2025年增至19.1亿元。近年来，中国碳化硅企业产能扩张与技术升级势头强劲，多家公司加速大尺寸晶片产能落地，向高端化迈进。企业间形成多维竞争格局，头部企业全链条卡位、细分领域技术突围、下游应用强势拉动。未来，行业将呈现技术、应用与模式协同演进趋势，加速晶圆量产过渡与新兴领域渗透，IDM与代工模式共同发展，增强产业链协同性与韧性。

上市企业：士兰微（600460.SH）、斯达半导（603290.SH）、天岳先进（688234.SH）、三安光电（600703.SH）、露笑科技（002617.SZ）、扬杰科技（300373.SZ）、时代电气（688187.SH）、晶盛机电（300316.SZ）、北方华创（002371.SZ）

相关企业：北京天科合达半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、江苏利泷半导体科技有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、华润微电子控股有限公司

关键词：碳化硅晶片‌、碳化硅晶片‌政策、碳化硅晶片‌行业产业链、碳化硅晶片‌发展现状、碳化硅晶片市场规模、碳化硅晶片‌企业格局、碳化硅晶片‌发展趋势

一、碳化硅晶片‌行业相关概述

碳化硅晶片（SiC Wafer），全称为碳化硅衬底晶片，是以碳化硅单晶为原料，经过晶体生长、切割、研磨、抛光等多道精密工艺加工而成的薄片。它作为衬底，用于后续外延层生长及功率器件（如MOSFET、IGBT）的制造，是决定器件性能、成本和可靠性的核心基础材料。

碳化硅晶片主要依据三个核心维度分类，不同类别对应差异化应用场景：按尺寸可分为4英寸、6英寸和8英寸，其中4英寸技术成熟适用于中低压器件，6英寸是当前市场主流，8英寸为未来降本增效的发展方向；按导电类型可分为导电型（N型）与半绝缘型，前者多用于新能源汽车、光伏等领域的功率器件制造，后者因抗干扰性强，主要应用于5G基站、雷达等射频器件；按晶体结构则以4H-SiC为主流，其兼具高电子迁移率与稳定性，适配多数功率及射频场景，另有6H-SiC（应用较少）和3C-SiC（制备难度大、未大规模商用）等类型。

二、中国碳化硅晶片行业政策

碳化硅晶片作为第三代半导体的关键材料，在我国产业升级与科技自主战略中占据重要地位。国家层面高度重视其发展，近年来密集出台《关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》《制造业可靠性提升实施意见》《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》《电子信息制造业2025-2026年稳增长行动方案》《电力装备行业稳增长工作方案（2025-2026年）》等一系列政策，从战略引导、技术创新、应用推广与基础设施建设等多维度协同发力，共同为碳化硅晶片行业构建了有力的政策支撑体系，有效推动了产业链的完善与市场空间的拓展。

三、中国碳化硅晶片行业产业链

中国碳化硅晶片行业产业链上中下游协同发展且国产替代加速，上游为原材料与设备供应，原材料以衬底与外延片制备为核心，技术壁垒和价值最高，目前国内已实现6英寸衬底规模化，并积极向8英寸升级，设备端晶体生长炉、外延炉国产化成效显著，但刻蚀等高端设备仍依赖进口；中游是晶片制造与外延生长核心环节，6英寸晶片为当前主流；下游应用领域广泛，新能源汽车是核心市场，800V高压平台车型普及推动碳化硅模块渗透率提升，光伏储能、工业电源、轨道交通等领域需求同步增长，形成多轮驱动的产业格局。

衬底与外延片是碳化硅晶片产业链的核心环节，其中衬底因晶体生长控制难度大、精密加工要求高，成为技术壁垒最高、价值占比最大的部分，其成本占碳化硅器件总成本的47%，直接决定下游器件的性能与整体成本。近年来，全球头部厂商积极扩产，推动碳化硅衬底供给能力快速提升。在下游电力电子与射频器件需求爆发的驱动下，行业实现高速增长。数据显示，2024年全球碳化硅衬底市场规模已达92亿元，同比增长24.32%。随着8英寸、12英寸衬底技术逐步成熟并走向产业化，市场空间有望进一步扩大。预计到2025年，全球碳化硅衬底市场规模将增至123亿元，为整个碳化硅产业的持续发展提供强劲支撑。

碳化硅外延片也是碳化硅晶片产业链的核心环节，指通过化学气相沉积等技术，在碳化硅衬底表面生长出与衬底晶体结构一致、满足器件性能要求的单晶薄膜（外延层），其质量直接决定下游碳化硅功率器件的开关速度、耐压性等关键指标。从成本结构看，外延片在碳化硅器件总成本中占比约23%，是仅次于衬底的第二大价值环节。近年来，受益于新能源汽车800V高压平台渗透率提升、光伏逆变器高效化改造需求释放，全球碳化硅外延片需求稳步增长，2024年行业市场规模达87亿元，同比增长9.09%；预计到2025年全球碳化硅外延行业市场规模将增至95亿元，为碳化硅晶片行业整体扩容提供重要支撑。

相关报告：智研咨询发布的《中国碳化硅晶片行业市场竞争格局及产业需求研判报告》

四、中国碳化硅晶片‌行业发展现状分析

中国作为全球最大的碳化硅应用市场，其碳化硅晶片行业正处在快速发展和深刻变革的关键阶段。凭借耐高压、耐高温和高频高效的优异特性，碳化硅作为第三代半导体核心材料，已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、5G通信及AI数据中心等关键领域。在政策层面，国家将其列入重点发展领域，通过税收减免、研发补贴等多项措施，有力推动产业链的国产化进程。市场需求方面，新能源汽车800V高压平台的加速普及，以及AI算力崛起所驱动的数据中心电源革新与AR眼镜等新兴应用，共同为行业发展注入强劲动力。2024年，中国碳化硅晶片市场规模已达约16亿元，预计2025年将增长至19.1亿元，年增速接近20%，展现出良好的成长性和市场前景。

近年来，中国碳化硅企业在产能扩张与技术升级方面展现出强劲势头，多家公司加速6英寸、8英寸碳化硅晶片产能落地。东尼电子、博蓝特半导体等企业积极扩大衬底产能，瀚天天成、广东天域半导体则大幅提升外延片制造能力，其中天域新项目建成后年产能将达150万片。在技术前沿方面，芯联集成、南砂晶圆、士兰微电子等企业纷纷实现8英寸碳化硅晶片的工程下线、投产或启动芯片制造线建设，天岳先进更率先发布了12英寸衬底产品，标志着我国碳化硅产业正加速向大尺寸、高端化方向迈进，为产业链的自主可控与规模化发展奠定了坚实基础。

五、中国碳化硅晶片行业企业竞争格局

中国碳化硅晶片行业已形成以技术突破、模式创新与下游驱动为核心的多维竞争格局：技术层面，天岳先进、瀚天天成等企业率先实现8英寸衬底与外延片量产，并向12英寸大尺寸晶片进军，通过规模化生产降低单位成本；模式层面，三安光电等IDM企业通过全产业链垂直整合强化供应链安全与技术协同，晶盛机电等设备龙头则以“设备+材料”双轮驱动拓展业务边界；应用层面，新能源汽车成为主战场，斯达半导、扬杰科技等器件厂商深度绑定800V高压平台车企，车规级产品占比持续提升。与此同时，露笑科技、天科合达等企业在细分环节通过导模法、良率提升等差异化技术巩固市场地位，而北方华创等设备材料企业则通过全流程设备覆盖加速国产替代。整体来看，行业呈现“头部企业全链条卡位、细分领域技术突围、下游应用强势拉动”的立体化竞争态势，国产化率与产业链自主可控能力持续增强。

六、中国碳化硅晶片‌行业发展趋势分析

中国碳化硅晶片行业未来将呈现技术、应用与模式协同演进的发展趋势。技术层面，行业正加速从6英寸向8英寸晶圆量产过渡，并积极布局12英寸技术，晶片尺寸的升级结合工艺优化，有望持续推动成本下降与性能提升。应用层面，在新能源汽车（尤其是800V高压平台）需求主导的基础上，碳化硅凭借其高频、高效等优势，正加速向光伏储能、AI数据中心以及AR眼镜等新兴领域渗透，构建多元化的增长格局。产业模式层面，IDM（整合器件制造）凭借其垂直整合优势将继续占据主导，并与专业的代工模式共同发展，以增强产业链的协同性与韧性。具体发展趋势如下：

1、技术驱动：大尺寸化与缺陷控制成为降本增效核心路径

未来中国碳化硅晶片行业将持续聚焦技术迭代，其中大尺寸化与缺陷控制将是推动产业降本增效的两大核心引擎。行业技术路线明确从当前主流的6英寸向8英寸乃至更大尺寸晶圆过渡，这一演进不仅能显著提升单片晶圆的芯片产出量，更是降低单位成本的关键举措。与此同时，随着物理气相传输法等长晶工艺的持续优化，行业将着力攻克晶体制备过程中的微管、位错等固有缺陷问题，通过提升晶体质量与产品良率来增强器件可靠性并优化综合成本。这一技术演进路径将促使资源向具备持续研发能力的头部企业集中，推动行业从规模扩张向高质量发展转型。

2、应用拓展：多元场景驱动与新兴领域突破构建增长新格局

在应用层面，碳化硅晶片的市场边界将持续拓宽，形成多元场景驱动的发展新格局。除新能源汽车主驱逆变器、车载充电机等核心应用场景的持续深化外，碳化硅器件在光伏逆变器、储能系统、工业电机等能源电力领域的渗透率将显著提升。特别值得关注的是，随着AI算力需求的爆发式增长，数据中心电源革新为碳化硅创造了全新的应用空间；而在追求极致轻薄的AR眼镜等消费电子领域，碳化硅作为理想衬底材料的潜力也将逐步释放。这种应用场景的多元化不仅增强了产业发展的韧性，也为不同技术路线的企业提供了差异化竞争的机会。

3、产业协同：垂直整合与生态共建提升产业链整体竞争力

面对全球竞争格局，中国碳化硅产业将加速向垂直整合与生态协同方向发展。越来越多的企业将通过IDM模式或战略联盟方式，打通从衬底材料、外延生长到器件设计、制造封测的全产业链环节，以此保障供应链安全、实现技术协同并优化成本结构。在政策引导下，区域性产业集群效应将更加凸显，形成设备、材料、设计、制造等环节高效协作的创新生态。这种深度协同不仅有助于加速国产化替代进程，更将提升中国碳化硅产业在全球市场的整体竞争力，推动行业从单点突破迈向系统优势构建的新阶段。

以上数据及信息可参考智研咨询（www.chyxx.com）发布的《中国碳化硅晶片行业市场竞争格局及产业需求研判报告》。智研咨询是中国领先产业咨询机构，提供深度产业研究报告、商业计划书、可行性研究报告及定制服务等一站式产业咨询服务。您可以关注【智研咨询】公众号，每天及时掌握更多行业动态。