紫光集团旗下长江存储近日宣布，已开始量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存（3D NAND），容量为256Gb，以满足固态硬盘（SSD）嵌入式存储等主流市场应用的需求，这也是中国首款64层三维闪存芯片，将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内，被视为中国打破美日韩垄断关键一战。
据香港《大公报》近日报道，长江存储官网消息，上海中国国际半导体博览会举行前夕，公司宣布已开始量产基于XtackingR架构的64层“三阶储存单元”3D NAND闪存。作为中国首款64层3D NAND闪存，该产品将亮相博览会紫光集团展台。
所谓3D NAND是通过将原本平铺的储存单元堆叠起来，形成多层结构提供容量，使原本只有1层的储存单元堆叠成64层或更多层。
报道指出，长江存储64层三维闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高存储密度。创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道（VIA）将两片晶圆键合，相比传统三维闪存架构可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
长江存储相关负责人向《大公报》表示，长江存储64层三维闪存产品的量产，将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内。
数据显示，消费类、数据中心以及行业应用需求持续增加，中国闪存市场China Flash Market数据，2018年全球SSD的出货量达到2.05亿台，相较于2017年增长31%。其中企业级市场SSD出货量达到2900万台，消费类SSD市场出货量达1.76亿台，价格下滑正刺激市场需求持续增长。
2018年一线大厂对PC台式机趋向于SSD+HDD混搭配置提高性能，笔记本对SSD搭载率更高，且PCIe SSD比重持续增加，再加上主控厂Marvell、慧荣、群联SSD控制芯片全面支持PCIe，得一微、联芸、点序、矽统等也加强对PCIe的支持，预计2019上半年SSD品牌厂建兴、金士顿、江波龙、影驰等都将以PCIe SSD为市场主打产品，加快PCIe SSD成为市场的主角。
全球SSD出货量增长走势
资料来源：智研咨询整理
2018上半年Flash原厂持续扩大64层/72层3D TLC NAND产出，下半年64层QLC（4bit）和96层TLC陆续上市，单颗Die均可达1Tb，使得2018全年NAND Flash供应大幅度增加40%。然而2018年三星、苹果智能型手机出货不及预期，中国手机品牌厂容量升级迟缓，且部分出现销量下滑的情况，再加上英特尔PC处理器在Q3旺季缺货，北美数据中心在Q4订单大幅缩减等影响，使得NAND Flash市场供过于求，消费类NAND Flash价格大跌65%。
2018年NAND Flash行情反转向下，到年底消费类每GB价格更是跌破0.1美金，原厂不得不改变策略，纷纷减少Wafer产出，缩减2019年投资金额等平衡市场供需。但由于原厂96层3D NAND技术在2018下半年以及2019上半年量产，新3D NAND如期推进，再加上苹果下调iPhone订单，原厂库存压力较大，NAND Flash市场或将上演供应和需求的拉锯战。
2018年消费类NAND Flash每GB价格走势
资料来源：智研咨询整理
存储芯片竞争激烈，三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入。2018年，64层、72层的3D NAND闪存就已经是主力产品，2019年开始量产92层、96层的产品，到2020年，大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。
业界有关人士分析，长江储存发展迅速，但目前表态保守，其虽然未公布量产规模，预计2020年底其可望将产能提升至月产6万片晶圆的水平。
据报道，长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩大厂垄断下，长江存储的64层3D NAND闪存量产消息别具意义。
业界预测，长江存储最快明年跳过96层直接进入128层三维闪存，实现弯道超车。据悉，长江存储已推出Xtacking2.0规划，借以提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等，相关产品将被广泛应用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域。
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