研判2025！中国电子束光刻系统行业产业链、市场规模及重点企业分析：技术突破与挑战并存，展望高质量发展未来[图]

内容概况：中国电子束光刻系统行业正经历从“跟跑”到“并跑”的关键跨越。技术层面，国产设备已实现0.6纳米分辨率突破，多光束并行技术将产能提升至60片/小时，接近国际先进水平。例如，“羲之”电子束光刻机已量产8纳米线宽芯片，支撑量子芯片、碳基材料等前沿领域研发。2024年，中国电子束光刻系统行业市场规模约为2.94亿元，同比增长59.78%。然而，行业仍面临高端技术瓶颈，如EUV光刻胶国产化率不足1%，2纳米以下制程的邻近效应校正、材料科学等挑战待解。未来需聚焦多光束技术优化、AI驱动工艺创新及新型光刻胶研发，推动从“高增长”到“高质量”的跨越，巩固中国在全球半导体产业链中的战略地位。

相关上市企业：芯碁微装（688630）、中芯国际（688981）

相关企业：湖北菲利华石英玻璃股份有限公司、山东金晶科技股份有限公司、宝鸡市深大华钛业有限公司、中芯国际集成电路制造有限公司、江苏长电科技股份有限公司、科德数控股份有限公司、上海汉钟精机股份有限公司、深圳清溢光电股份有限公司、江苏南⼤光电材料股份有限公司、上海新阳半导体材料股份有限公司、科大国盾量子技术股份有限公司、深圳顺络电子股份有限公司、欧菲光集团股份有限公司、杭州格林达电子材料股份有限公司、深圳市路维光电股份有限公司、晶瑞电子材料股份有限公司

关键词：电子束光刻系统、电子束光刻系统市场规模、电子束光刻系统行业现状、电子束光刻系统发展趋势

一、行业概述

电子束光刻系统（EBL，Electron Beam Lithography）是一种以高能电子束为工具实现纳米级结构加工的核心设备，属于无掩模光刻技术。其核心原理是利用波长极短（<0.1nm）的聚焦电子束直接作用于对电子敏感的光刻胶表面，通过电子与光刻胶的化学反应形成微纳结构。系统主要由电子枪、磁场透镜、偏转控制器、真空系统、精密工件台及数据处理系统构成，具有超高分辨率（极限尺寸<10nm）、灵活直写（无需掩模）、可编程性等优势，广泛应用于半导体制造、微纳器件研发、量子器件制备、高频电子元件生产及科研领域。按扫描方式分类，电子束光刻系统可以分为光栅扫描和矢量扫描两大类。

二、行业产业链

电子束光刻系统行业产业链上游主要包括高纯度石英玻璃、苏打玻璃、铬靶材、光刻胶、掩膜版、显影液、蚀刻液、清洗液等原材料，电子枪、电子光学系统、真空系统、精密机械部件等零部件。产业链中游为电子束光刻系统生产制造环节。产业链下游主要应用于半导体制造、微纳器件研发、量子器件制备、高频电子元件生产及科研领域。

国家“十四五”规划将光刻胶列入“卡脖子”材料攻关清单，大基金三期重点投资光刻胶等关键材料，叠加多地政府产业扶持政策，形成政策合力。本土企业如南大光电、彤程新材在ArF、KrF光刻胶领域实现技术突破，推动光刻胶国产率不断攀升。2024年，中国光刻胶行业市场规模约为221.64亿元，同比增长6.37%。电子束光刻系统以高分辨率（可达0.6纳米）、无掩模直写优势，在量子芯片研发、碳基材料加工等领域不可替代。其对光刻胶的灵敏度、分辨率及抗蚀刻性要求极高，推动国产电子束光刻胶技术突破。

国内对半导体芯片的市场需求持续旺盛。随着5G通信、人工智能、物联网等新兴技术的快速发展，对集成电路的需求不断增加，推动了产业的扩张。其次，国家政策的大力支持也为集成电路产业的发展提供了有力保障。政府出台了一系列鼓励政策，包括财政补贴、税收优惠等，促进了企业的研发投入和产能扩张。2025年前三季度，中国集成电路产量为3818.9亿块，同比增长21.00%。电子束光刻系统作为一种高精度的纳米级光刻技术，是集成电路制造中不可或缺的关键设备。其高分辨率和高精度的特点，使得电子束光刻系统在高端芯片制造、纳米科技等领域具有不可替代的作用。随着集成电路制造工艺的不断进步，对光刻技术的要求也越来越高，电子束光刻系统的重要性日益凸显。

相关报告：智研咨询发布的《中国电子束曝光系统行业市场发展规模及产业趋势研判报告》

三、市场规模

中国电子束光刻系统行业正经历从“跟跑”到“并跑”的关键跨越。技术层面，国产设备已实现0.6纳米分辨率突破，多光束并行技术将产能提升至60片/小时，接近国际先进水平。例如，“羲之”电子束光刻机已量产8纳米线宽芯片，支撑量子芯片、碳基材料等前沿领域研发。2024年，中国电子束光刻系统行业市场规模约为2.94亿元，同比增长59.78%。然而，行业仍面临高端技术瓶颈，如EUV光刻胶国产化率不足1%，2纳米以下制程的邻近效应校正、材料科学等挑战待解。未来需聚焦多光束技术优化、AI驱动工艺创新及新型光刻胶研发，推动从“高增长”到“高质量”的跨越，巩固中国在全球半导体产业链中的战略地位。

四、重点企业及机构情况

近年来，中国电子束光刻系统行业取得了显著进展，但整体市场仍由国际巨头主导，国内企业及机构正奋力追赶。泽攸科技的电子束光刻机在2025年中标复旦大学，标志着国产电子束光刻系统在技术上取得了重要突破。浙江大学余杭量子研究院联合研发的“羲之”电子束光刻机以0.6纳米精度、8纳米线宽技术突破，在量子芯片、碳基材料领域形成差异化优势。此外，这些企业和机构的崛起，不仅提升了国内电子束光刻系统的市场竞争力，也为行业的国产化替代提供了有力支持。

安徽泽攸科技有限公司在电子束光刻系统领域以ZEL304G机型为核心，采用肖特基场发射电子枪，实现≤1nm@15kV分辨率及50MHz扫描速度，支持105mm×105mm大行程拼接，套刻精度优于50nm。其邻近效应校正算法将剂量误差控制在5%以内，多图层自动曝光功能适配量子芯片、二维材料器件制备及MEMS加工。设备国产化率超95%，打破美日垄断，已应用于石墨烯器件、高频传感器生产等场景，并通过科研与工业验证。2024年，公司联合松山湖材料实验室推动整机自主可控，关键性能达国际主流水平，成为国内高端电子束光刻设备领军企业。

浙江大学余杭量子研究院研发的“羲之”电子束光刻机实现0.6纳米精度与8纳米线宽，采用100kV加速电压及矢量扫描技术，无需掩膜版，支持灵活设计修改。其智能调焦系统与动态补偿算法将定位误差控制在原子级水平，技术指标超越国际同类产品。设备已进入应用测试，定价低于国际产品，与华为海思、中芯国际合作，应用于超导电路、量子点制备等前沿领域。同时，浙大推动电子束光刻胶国产化（如化学增幅型光刻胶自主研发率提升至60%）及特种气体产业链升级，带动高精度样品台、真空系统等配套设备发展，重塑半导体产业生态。

五、行业发展趋势

1、技术不断突破，驱动高端化发展

未来中国电子束光刻系统将聚焦0.6纳米以下分辨率突破与多光束并行技术迭代。以“羲之”电子束光刻机为代表的国产设备已实现8纳米线宽量产，未来将向2纳米以下制程进军，通过优化电子枪发射稳定性、提升扫描速度至100MHz以上，并开发AI驱动的邻近效应校正算法，将剂量误差控制在3%以内。同时，多光束并行技术将从当前60片/小时产能向120片/小时突破，接近ASML EUV水平。此外，智能混合光刻技术（电子束+纳米压印）将拓展应用场景，支撑量子芯片、碳基材料等前沿领域研发，推动国产设备从“可用”向“好用”升级，逐步替代进口设备。

2、市场需求扩展，新兴应用爆发

随着5G通信、人工智能、新能源汽车等新兴领域对高精度芯片需求激增，电子束光刻系统将在量子芯片、第三代半导体、先进封装等领域迎来爆发式增长。未来随着国内量子芯片产能不断增长，直接拉动电子束光刻胶需求。同时，随着政策扶持力度加大，推动中芯国际、华为海思等企业加速布局量子芯片产线。此外，科研机构与高校对纳米级图案化设备的需求也将持续增长，形成“工业+科研”双轮驱动的市场格局。

3、产业链完善，加速自主可控深化

未来中国电子束光刻系统行业将围绕“材料-设备-工艺”全链条自主可控展开布局。上游光刻胶、掩膜版、特种气体等材料国产化率将不断提升，南大光电ArF光刻胶、凯美特气光刻气等关键材料将实现批量供应。下游应用将拓展至半导体制造、科研机构及新兴技术领域，形成完整产业链生态。同时，行业将聚焦EUV光刻胶国产化、2纳米以下制程技术瓶颈等挑战，通过产学研协同创新，推动从“量”到“质”的跨越，支撑半导体产业自主可控与全球竞争力提升。

以上数据及信息可参考智研咨询（www.chyxx.com）发布的《中国电子束曝光系统行业市场发展规模及产业趋势研判报告》。智研咨询是中国领先产业咨询机构，提供深度产业研究报告、商业计划书、可行性研究报告及定制服务等一站式产业咨询服务。您可以关注【智研咨询】公众号，每天及时掌握更多行业动态。