“产学研”一体战略推动我国湿电子化学品行业发展产业链协同作用将增强预测2025年产值规模将超过90亿元【图】

湿电子化学品 2018-09-19 05:54

电子化学品位于电子产业链的上游，技术壁垒较高，其关键是针对不同产品的不同特性而应采取何种提纯技术。目前国内外制备超净高纯试剂的常用提纯技术主要有精馏、蒸馏、升华、气体吸收等方式，生产对于设备、环境洁净度要求极为严苛。

国内受技术发展限制，湿电子化学品领域与国外尚有较大差距，高端市场主要集中在美、日、欧等少数大厂商手中，比如在对电子化学品纯度等级要求较高的半导体和平板显示领域，我国内资企业市场占有率仅达到25%左右。

电子化学品上游行业为基础化工材料，我国化工原料市场程度高，供应充足。电子化学品下游行业多为集成电路、平板显示、LED等资本密集、技术密集型行业，按照应用领域不同，对产品的纯度、洁净度也有不同要求，以集成电路领域为例，线宽越窄所需电子化学品纯度越高，对应产品附加值也越高。

湿电子化学品产业环节

资料来源：智研咨询整理

2017年我国湿电子化学品需求结构分析

资料来源：智研咨询整理

按湿电子化学品下游行业的技术要求分，半导体集成电路制造工艺用湿电子化学品是技术要求最高的领域，其次是平板显示领域。在半导体生产过程中，大规模集成电路工艺有几十道工序，工艺制造过程中的空气、水、各种气体、化学试剂、工作环境、电磁环境噪声以及微振动、操作人员、使用的工具、器具等各种因素都可能带来污染物，这些污染物可能会是微粒杂质、无机离子、有机物质、微生物以及气体杂质等物质。而这些污染物都需要相关的超净高纯试剂去除。污染物数量超过一定限度时，就会使集成电路产品发生表面擦伤、图形断线、短路、针孔、剥离等现象。这会导致漏电、电特性异常等情况，轻者影响电路使用寿命，严重时可导致电路报废。

杂质对集成电路的危害

杂质	杂质的危害
Au、Pt、Fe、Ni、Cu	这类杂质属于硅片中的快扩散物质、也是俘获中心。影响元器件的可靠性和阈值电压，导致低击穿和缺陷。
碱金属,尤其 Na，K	可造成元器件漏电，造成低击穿。
非金属离子 F^-，Cl^-	影响化学气相淀积（CVD）工艺和钝化工艺，导致外延片层错增加。
P，As，Sb，B，Al 等Ⅱ～Ⅵ组元素	属于硅片中的浅能级杂质，有扩散作用，可影响电子和空穴的数量。P、As、Sb 是 N 型杂质，当过量时能使 P 型硅片反型；B、Al 是 P 型杂质，若过量也会反型。
固体颗粒：包括尘埃、金属氧化物晶体、水管、离子交换树脂碎片、各种过滤膜的纤维、细菌和微生物的尸体等	造成光刻缺陷，氧化层不平整，影响制版质量，影响等离子刻蚀工艺。
细菌	水和化学试剂中的细菌能造成颗粒型缺陷和污染。细菌分解的有机酸会使水的电阻率降低。
硅酸根	水和化学试剂中的硅酸根会使磷硅玻璃起雾，阈值电压变化。在等离子刻蚀工艺中 SiO2 会造成颗粒污染形成缺陷。
总有机碳( TOC)	水和试剂中的 TOC 影响栅氧化的击穿电压，造成水雾，使氧化层厚度不均。

资料来源：智研咨询整理

在大屏幕、高清晰显示面板的制造过程中，湿电子化学品所含的金属离子和个别尘埃颗粒，都会让面板产生极大的缺陷，同时，平板显示的制造工艺对湿电子化学品的功能性要求较高，清洗的清洁度，蚀刻的方向、角度以及对不同金属的蚀刻速率差异均会影响平板显示的品质。

所以，在微电子制造的清洗、光刻、显影、刻蚀、掺杂等工艺环节都需要使用功能性湿电子化学品去除污染物，使污染物控制在规定的标准范围内，同时，微电子制造工艺对湿电子化学品本身的产品品质、质量和功能性也有较高的要求。

随着我国湿电子化学上下游的精细化工和下游的半导体行业的发展，产业上下游的之间的协同作用将会逐渐增强，“产学研”一体的创新战略对行业发展的推动力也会显著的增强，同时在未来，我国在这一领域的产业扶持政策预期，对中小企业的培育能力将会增强，国内企业的从业主体将会逐渐增加，低端产品大范围实现进口替代，中高端产品的进口替代将会加速行业内市场竞争将会更加激烈。

智研咨询发布的《2019-2025年中国湿电子化学品市场运行态势与投资前景评估报告》数据显示：2025年我国湿电子化学品产值规模将超过90亿元。

2019年~2025年中国湿电子化学品行业产值预测