氮化镓单晶衬底

趋势研判！2026年中国氮化镓单晶衬底‌行业政策、产业链图谱、运行现状、竞争格局及未来发展趋势分析：技术路线多元突破，产业生态加速成形[图]

氮化镓单晶衬底是通过同质外延生长技术制备的独立氮化镓晶体材料，无需依赖蓝宝石、碳化硅等异质衬底支撑。其核心特性在于低缺陷密度、高热导率和高击穿电压，是第三代宽禁带半导体材料的典型代表。作为外延GaN的理想基底，其晶格匹配度接近100%，可显著提升器件性能，尤其适用于高压、高频、大功率场景。