2016年中国存储芯片行业发展现状及市场规模预测【图】

存储芯片 2016-03-28 06:11

存储芯片根据断电后所储存的数据是否会丢失，可以分为易失性存储器（Volatile Memory）和非易失性存储器（Non-Volatile Memory），其中 DRAM 与 NAND Flash 分别为这两类存储器的代表。尽管存储芯片种类众多，但从产值构成来看， DRAM 与 NAND Flash 已经成为存储芯片产业的主要构成部分。根据IDC 的统计数据，2013 年存储芯片市场规模接近 690 亿美元，而 DRAM 和 NAND Flash就占据了约 600 亿美元，占比超过 85%。

Memory 产品分类

根据统计，2015 年第三季度三星 DRAM 全球市场占有率达到 45.2%，SK海力士占有率为 27.3%，第三大厂商美光占有率为 20.4%，前三大龙头合计市占率达到了 93%。在Nand Flash 市场上，2014 年三星市占率为 36.5%，东芝为 31.8%，海力士为 18.9%，美光为 12.8%，前四家厂商几乎垄断整个市场。

DRAM 前三家市占率超 90%

Nand Flash 几乎被四家厂商垄断

受益于全球电子产业链过去几年快速向国内转移，全球 Memory 产品需求也快速向国内转移。2014 年国内 Memory 产品市场规模已经超过了 200 亿美元，并且未来几年仍将保持高速增长，2018 年更是有望达到 430 亿美元。

国内 Memory 市场规模快速增长，2018 年有望达到约 430 亿美元

对于 Memory 产业，无论是武汉新芯投资 240 亿美金，或者是此前同方国芯投资 932 亿元建厂仅仅只是万里长征的第一步，发展国内 Memory 产业仍任重道远。武汉新芯的 240 亿美金和同方国芯的 932 亿元人民币，这一投资金额看上去非常巨大。但是与国际 Memory 巨头资本支出相比，也并未拉开显著差距。三星 2015 年一年规划的资本支出就达到了 151 亿美元。海力士与美光今年的资本支出规划也分别有 51 亿美元和 38 亿美元。

国际 Memory 巨头资本支出情况

目前，中芯国际 12 寸产能为 51,000 片/月，华力微大约为 20,000 片/月，武汉新芯约为 20,000片/月。这意味从国内最初开始建造 12 寸晶圆厂，到现在十多年时间里，国内总共形成了91,000 片/月的产能。考虑三星去年刚刚投产的 10 万片产能，目前国内 12 寸晶圆产能合计为 36.1 万片/月。

国内12寸硅晶圆产能大幅增长

据上海新阳公告的大硅片项目测算，2020 年国内对12 寸硅片的需求将达到 100 万片/ 月，更是当前国内产能的三倍。

国内12 寸晶圆厂产能情况

晶圆厂	产能（片/月）	晶圆厂	计划新增产能
中芯国际（上海）	14,000	同方国芯	120,000
中芯国际（北京）	37,000	中芯国际（北京）	70,000
华力微	20,000	联电（厦门）	50,000
武汉新芯	20,000	力晶（合肥）	40,000
海力士（无锡）	120,000	台积电（南京）	20,000
三星（西安）	100,000	武汉新芯（武汉）	300,000
英特尔（大连）	50,000	合肥尔必达（合肥）	10,000
合计	361,000	合计	700,000