研判2026！中国dram存储器行业产业链、市场规模、竞争格局及行业趋势分析：AI算力引爆“存储饥渴”，国产替代亟需加速跑[图]

内容概况：近年来，AI算力持续爆发，带动相关行业结构性跃迁，其中，AI基础设施对存储容量展现出“无限饥渴”。从大模型训练延伸至推理应用，北美云服务商的资本开支重心从AI服务器拓展至通用服务器，推动采购需求从HBM3e、LPDDR5X全面延伸至各类传统DRAM，买方为确保供应甚至对涨价“持开放态度”。2025年，全球dram存储器行业市场规模约为1469亿美元，同比增长54.31%，中国DRAM存储器行业正处于国产替代加速与技术追赶的关键窗口期，整体呈现"规模扩张、结构优化、瓶颈犹存"的复杂态势。2025年，中国dram存储器行业市场规模约为3271亿元，同比增长5.28%。

相关上市企业：长鑫科技（A06978）

相关企业：上海硅产业集团股份有限公司、杭州立昂微电子股份有限公司、有研半导体硅材料股份有限公司、彤程新材料集团股份有限公司、江苏南大光电材料股份有限公司、深圳市容大感光科技股份有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、北方华创科技集团股份有限公司、中兴通讯股份有限公司、联想集团有限公司、紫光股份有限公司

关键词：dram存储器、dram存储器市场规模、dram存储器行业现状、dram存储器发展趋势

一、行业概述

存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器（简称主存或内存）和辅助存储器（简称辅存或外存）两大类，而和CPU直接交换信息的是主存（内存）。内存包括ROM和RAM两大类，其中DRAM存储器就属于RAM一类。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，是一种利用电容储存电荷来保存数据的易失性半导体存储器。其核心定义主要有三点：一是"动态"——因为电容会漏电，所以需要定时刷新（约每64毫秒一次）来维持数据；二是"随机"——存取数据所需时间与物理位置无关；三是"易失"——一旦断电，所有数据将立即丢失。

而SRAM是静态存储，依靠晶体管组成的双稳态电路来存储数据，只要保持通电，电路状态就会一直稳定，完全不需要刷新，这就是"静态"的核心含义。该结构让SRAM的读写延迟极低、速度极快，但电路复杂，存储密度极低，单位成本是DRAM的数倍甚至十倍，容量很难做大，因此只能用于对速度要求极致的高速缓存场景。

二、行业产业链

dram存储器行业产业链上游主要包括硅片、光刻胶、电子特气、CMP抛光液、溅射靶材、光刻机、刻蚀机等原材料及生产设备。产业链中游为dram存储器研发制造环节。产业链下游主要应用于个人电脑、智能手机、服务器、数据中心、消费电子、汽车电子、高性能计算等领域。

近年来，中国金属硅价格稳步在8K-10k之间，截至2026年5月底，中国金属硅价格为9129元/吨，同比增长3.42%。金属硅是半导体硅片的起始原料，经提纯后转化为电子级多晶硅（纯度达11N以上），进而拉制出12英寸单晶硅片——这是制造先进DRAM芯片的核心基底。随着价格稳定在固定区间，这有效保障DRAM存储器成本空间。

智能手机是DRAM最大的下游应用市场之一，2026年1-5月，中国智能手机产量约为4.77亿台，同比增长5.63%。随着智能手机产量的提升，有效带动内存市场规模。而随着单机DRAM配置从8GB向12GB、16GB跃迁，这直接拉动移动DRAM需求回暖。

相关报告：智研咨询发布的《中国dram存储器行业发展模式分析及未来前景规划报告》

三、行业市场现状

近年来，AI算力持续爆发，带动相关行业结构性跃迁，其中，AI基础设施对存储容量展现出“无限饥渴”。从大模型训练延伸至推理应用，北美云服务商的资本开支重心从AI服务器拓展至通用服务器，推动采购需求从HBM3e、LPDDR5X全面延伸至各类传统DRAM，买方为确保供应甚至对涨价“持开放态度”。2025年，全球dram存储器行业市场规模约为1469亿美元，同比增长54.31%，

中国DRAM存储器行业正处于国产替代加速与技术追赶的关键窗口期，整体呈现"规模扩张、结构优化、瓶颈犹存"的复杂态势。2025年，中国dram存储器行业市场规模约为3271亿元，同比增长5.28%。

四、企业格局

2026年第一季度，全球DRAM市场呈现高度集中的寡头垄断格局，三星、SK海力士、美光三大原厂合计占据近90%的市场份额。中国台湾厂商（南亚科技、华邦电子）填补“市场缝隙”。中国大陆厂商长鑫存储虽未进入该季度统计前列，但2025年Q4市场份额已达7.67%，IPO后扩产加速，正从"其他"类别中逐步显影。

五、行业竞争趋势

1、产能扩张与资本化加速，国产份额持续提升

中国DRAM存储器产业正迎来历史性的产能扩张与资本化浪潮。2025年第四季度，长鑫科技作为中国第一、全球第四的DRAM厂商，于2026年5月通过科创板IPO注册，拟募资295亿元用于技术升级与产能扩建。目前长鑫在合肥、北京拥有三座12英寸生产基地。在市场需求端，中国作为全球最大DRAM消费国，国产自给率仍处于较低水平。随着产能持续释放，中国DRAM存储器国产化率将不断提升，产能的规模化扩张将有效降低单位成本，增强国产DRAM在全球市场的定价与竞争能力。

2、技术迭代提速，高端产品与先进架构双轮驱动

长鑫科技通过"跳代研发"策略，已实现从DDR4到DDR5、从LPDDR4X到LPDDR5X的完整产品迭代，2025年推出的LPDDR5X最高速率达10667Mbps，性能对标国际主流水平。未来技术演进的核心方向在于架构创新。随着摩尔定律放缓，传统6F2架构面临物理极限，4F2架构将晶体管与电容器垂直堆叠，单元面积较传统缩减约30%，成为突破DRAM存储密度瓶颈的关键路径（长鑫与国际三大原厂均在积极推进4F2方案）。这一技术路线有望将EUV光刻成本降低一半，为国产DRAM在10nm以下制程竞争中开辟新路径。

3、产业链协同共振，构筑本土存储生态体系

在长鑫、长江存储两大龙头的带动下，中国存储产业链正经历从单点突破到全链共荣的跃升。同时，中国本土产能建设快、规模大，在当前全球产能紧张的背景下，大量海外客户订单正转移至国内制造。从上游设备材料到下游模组应用，中国DRAM产业链正构建起从"备选"到"必选"的本土供应体系，为产业长期自主发展奠定根基。

以上数据及信息可参考智研咨询（www.chyxx.com）发布的《中国dram存储器行业发展模式分析及未来前景规划报告》。智研咨询是中国领先产业咨询机构，提供深度产业研究报告、商业计划书、可行性研究报告及定制服务等一站式产业咨询服务。您可以关注【智研咨询】公众号，每天及时掌握更多行业动态。

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