2026-2032年中国碳化硅器件行业市场现状分析及发展趋向研判报告

报告导读：

碳化硅器件是采用碳化硅材料制造的一种宽禁带电力电子器件，产品主要包括SiC二级管、SiC MOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiC MOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiC IGBT构成）等。碳化硅器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。近年来，随着碳化硅器件在新能源汽车、充电桩、光伏新能源等领域的应用需求快速增长，全球碳化硅器件市场规模呈现出增长趋势。数据显示，全球碳化硅器件行业市场规模从2019年的5.8亿美元增长至2024年的26.23亿美元，年复合增长率为35.23%。未来，随着技术持续突破和制造成本逐步下降，碳化硅器件的应用领域将得到进一步拓展，市场空间将持续扩大。数据显示，中国碳化硅器件行业市场规模从2020年的3亿元增长至2024年的19亿元，年复合增长率为58.64%。预计2025年中国碳化硅器件行业市场规模将增长至27亿元。从市场竞争格局来看，碳化硅晶片制造工艺难度大，研发时间长，存在较高的技术门槛和人才门槛。当前全球碳化硅器件市场呈现寡头主导格局，核心技术仍由海外企业掌控。意法半导体凭借与特斯拉等整车厂的深度绑定占据先发优势，英飞凌在车规级模块技术与量产能力上保持领先，科锐（Wolfspeed）以其衬底材料技术和8英寸晶片布局构建了核心壁垒，罗姆半导体则在消费电子与工业应用领域建立了完整产品矩阵。当前中国碳化硅器件市场仍由国际厂商主导，约九成市场份额被海外企业占据。面对这一竞争格局，国内企业正积极布局突破，以士兰微、华润微、三安光电等为代表的厂商在材料端加速技术攻关，而斯达半导、扬杰科技、泰科天润等企业则在功率器件与模块领域持续发力。随着产业链各环节的协同推进，国内碳化硅器件企业在衬底制备、芯片设计等关键技术领域不断取得突破，市场占有率呈现快速提升态势，正在逐步改变完全依赖进口的产业现状，展现出强劲的发展潜力。

基于此，依托智研咨询旗下碳化硅器件行业研究团队深厚的市场洞察力，并结合多年调研数据与一线实战需求，智研咨询推出《2026-2032年中国碳化硅器件行业市场现状分析及发展趋向研判报告》。本报告立足碳化硅器件新视角，聚焦行业核心议题——变化趋势（怎么变）、用户需求（要什么）、投放选择（投向哪）、运营方法（如何投）及实践案例（看一看），期待携手行业伙伴，共谋行业发展新格局、新机遇，推动碳化硅器件行业发展。

观点抢先知：

相关概述：碳化硅器件是采用碳化硅材料制造的一种宽禁带电力电子器件，产品主要包括SiC二级管、SiC MOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiC MOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiC IGBT构成）等。碳化硅器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

相关政策：近年来，中国碳化硅器件行业受到各级政府的高度重视和国家产业政策的重点支持。国家陆续出台了多项政策，鼓励碳化硅器件产业发展与创新。例如，2024年3月，河南省人民政府办公厅印发《河南省加快制造业“六新”突破实施方案》，加快布局发展氮化镓、碳化硅、磷化铟等半导体材料，开发Micro—LED（微米发光二极管）、OLED（有机发光二极管）用新型发光材料，薄膜电容、聚合物铝电解电容等新型电子元器件材料，电子级高纯试剂和靶材、封装用键合线、电子级保护及结构胶水等工艺辅助及封装材料。2025年8月，工业和信息化部、市场监督管理总局印发《电子信息制造业2025-2026年稳增长行动方案》，持续推进半导体、光伏、锂电池、超高清视频、时空信息、新型显示等领域与有关国家地区间常态化交流合作机制。

产业链核心节点：碳化硅器件产业链上游为原材料和零部件，主要包括碳化硅衬底、外延材料等。产业链中游为碳化硅器件的生产制造环节。产业链下游为碳化硅的应用领域，包括新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等。

全球市场规模：碳化硅作为第三代宽禁带半导体的核心材料，在半导体产业中居于前沿基础地位。碳化硅器件是以碳化硅为基底制造的功率半导体元件，在电子电路中承担着信号放大、电路整流和电压稳定等关键功能。其特有的宽禁带特性赋予器件优异的高温稳定性、高压耐受性和高频工作能力，在实际应用中较传统硅基器件可降低能量损耗达30%以上，有助于推动新能源革命与产业升级。近年来，随着碳化硅器件在新能源汽车、充电桩、光伏新能源等领域的应用需求快速增长，全球碳化硅器件市场规模呈现出增长趋势。数据显示，全球碳化硅器件行业市场规模从2019年的5.8亿美元增长至2024年的26.23亿美元，年复合增长率为35.23%。未来，随着技术持续突破和制造成本逐步下降，碳化硅器件的应用领域将得到进一步拓展，市场空间将持续扩大。

中国市场规模：全球能源革命与数字化转型的浪潮中，碳化硅器件作为第三代半导体的核心材料，正以其独特的物理特性——高耐压、高导热、低损耗，重塑功率电子产业格局。从新能源汽车的电机控制器到5G基站的信号放大器，从光伏逆变器的能量转换到轨道交通的牵引系统，碳化硅器件正成为推动多领域技术升级的关键力量。技术突破是推动碳化硅器件市场普及的关键因素。近年来，国内企业在衬底、外延、器件制造等关键环节取得了显著进展。衬底环节：天科合达采用物理气相传输法（PVT）将8英寸晶体生长周期从200小时压缩至150小时，良率提升至40%。三安光电通过掺杂氮化铝缓冲层，将微管密度降至0.5/cm²，达到国际领先水平。外延环节：深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延，该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发展及其产业化进程奠定基础。器件制造：MOSFET占比高，成为主流产品。比亚迪半导体、华润微等企业通过垂直整合快速崛起，产品性能接近国际先进水平。宏微科技1200V SiC MOSFET及SBD芯片实现小批量出货；斯达半导体应用于光伏逆变器、储能等下游行业的多个封装系列的新一代750V、1200V SiC MOSFET分立器件（单管）产品开始批量交付。在技术突破与产业应用的共同推动下，中国碳化硅器件市场规模呈现逐年增长的态势。数据显示，中国碳化硅器件行业市场规模从2020年的3亿元增长至2024年的19亿元，年复合增长率为58.64%。预计2025年中国碳化硅器件行业市场规模将增长至27亿元。

企业格局：从市场竞争格局来看，碳化硅晶片制造工艺难度大，研发时间长，存在较高的技术门槛和人才门槛。当前全球碳化硅器件市场呈现寡头主导格局，核心技术仍由海外企业掌控。意法半导体凭借与特斯拉等整车厂的深度绑定占据先发优势，英飞凌在车规级模块技术与量产能力上保持领先，科锐（Wolfspeed）以其衬底材料技术和8英寸晶片布局构建了核心壁垒，罗姆半导体则在消费电子与工业应用领域建立了完整产品矩阵。当前中国碳化硅器件市场仍由国际厂商主导，约九成市场份额被海外企业占据。面对这一竞争格局，国内企业正积极布局突破，以士兰微、华润微、三安光电等为代表的厂商在材料端加速技术攻关，而斯达半导、扬杰科技、泰科天润等企业则在功率器件与模块领域持续发力。随着产业链各环节的协同推进，国内碳化硅器件企业在衬底制备、芯片设计等关键技术领域不断取得突破，市场占有率呈现快速提升态势，正在逐步改变完全依赖进口的产业现状，展现出强劲的发展潜力。

市场趋势：（1）中国碳化硅器件行业将通过持续技术创新驱动产品性能快速迭代。随着衬底生长工艺的优化和器件结构的创新，国产碳化硅芯片的比导通电阻将显著降低，开关速度与功率密度实现突破性提升；（2）车规级认证体系的完善将推动碳化硅器件可靠性全面提升。通过建立严格的测试标准和质量控制流程，器件寿命与稳定性将迈上新台阶；（3）应用场景的多元化将促进全产业链协同发展。除新能源汽车外，碳化硅器件将在智能电网、工业电机、轨道交通等领域加速渗透。

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