内容概况:中国半导体二极管行业正处于快速发展与转型升级的关键阶段。2024年,中国半导体二极管行业市场规模为22.57亿美元,同比增长15.33%,主要得益于新能源汽车、5G通信、工业控制等下游应用领域的强劲需求。技术层面,国内企业加速突破。第三代半导体材料(如碳化硅、氮化镓)的应用成为焦点,推动二极管向高频、高效、耐高压方向发展。例如,SiC肖特基二极管已在电动汽车充电桩、光伏逆变器等领域实现规模化应用。此外,光电集成领域取得创新,中国科学技术大学团队提出的三电极光电二极管结构,通过场效应调控实现光通信带宽提升60%,为下一代高速光电芯片提供技术支撑。
相关上市企业:扬杰科技(300373)、苏州固锝(002079)、捷捷微电(300623)、华微电子(600360)、华润微(688396)、士兰微(600460)
相关企业:江西铜业股份有限公司、中环半导体股份有限公司、北方华创科技集团股份有限公司、华海诚科科技股份有限公司、华海清科股份有限公司、上海微电子装备(集团)股份有限公司、华为技术有限公司、小米科技有限责任公司、比亚迪股份有限公司、小鹏汽车科技有限公司、有研半导体硅材料股份公司、宁德时代新能源科技股份有限公司、中兴通讯股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司
关键词:半导体二极管、半导体二极管市场规模、半导体二极管行业现状、半导体二极管发展趋势
一、行业概述
半导体二极管是由半导体材料(如硅、锗)制成的两端电子器件,其核心结构为PN结。它具有单向导电性:当阳极(P型半导体端)电压高于阴极(N型半导体端)时,二极管导通,电流可顺利通过;反之,若阴极电压高于阳极,二极管则呈现高阻态,电流几乎无法通过。这一特性使其成为电子电路中整流、检波、稳压、发光及光电转换等功能的基石。按材料分类,半导体二极管可以分为硅二极管(Si管)、锗二极管(Ge管)和化合物半导体二极管。
二、行业发展历程
中国半导体二极管行业发展主要经历了四个阶段。1956年至1960年代的萌芽期,1956年,中国半导体产业开始萌芽,国家实验室成功研制出第一只晶体管。同年,国务院发布的《1956-1967年科学技术发展远景规划纲要》将半导体技术列为国家重点发展领域。1957年,北京电子管厂拉出锗单晶,中国相继研制出锗点接触二极管和三极管。1959年,天津拉制出硅单晶。1960年,中科院在北京建立半导体研究所。这一时期,产业发展深受苏联模式影响,强调自主发展、自力更生和高度集中的国家计划。
1960年代至1970年代的发展初期,1963年,河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。1965年,中国成功研制出第一批半导体管,并在国内首先鉴定了DTL型数字逻辑电路。1968年,组建国营东光电工厂(878厂)和上海无线电十九厂,形成中国IC产业中的“两霸”。这一时期,中国半导体产业开始逐步建立基础器件生产能力,但受到“文化大革命”的冲击,科研秩序和人才队伍受到严重破坏。
1970年代至1980年代的探索与挑战期,1970年代,全国约有40家半导体相关工厂,但大部分仅能生产基础的二极管、三极管等分立器件,集成电路的生产能力非常有限。1975年,北京大学设计出中国首批三种1K动态随机存取存储器(DRAM)。这一时期,产业发展受到研产分离模式的严重阻碍,技术从实验室向工厂的转化和应用困难重重。
1980年代至1990年代的技术引进与追赶期,1981年至1985年的“六五”计划,国家通过引进二手生产线和技术,试图提升集成电路制造技术水平。1986年,实施“531战略”,目标是打造集成电路“国家队”,但因技术落后、缺乏核心技术和管理问题,追赶效果不佳。这一时期,中国半导体二极管行业在技术引进方面取得了一定进展,但整体上仍与国际水平存在较大差距。
1990年代至2000年代的合资与市场换技术期,1990年至1995年,实施“908工程”,通过合资引进技术,建成一条6英寸生产线,培养了一定人才。1998年,集成电路“908工程”九个产品设计开发中心项目验收授牌。这一时期,中国半导体二极管行业通过合资和市场换技术的方式,积累了一定的项目经验,但核心技术仍未完全掌握。
2000年代至今的快速发展与自主创新期,2000年代以来,中国半导体二极管行业逐渐形成了一批具有自主创新能力的企业,开始在高端产品领域取得突破,逐渐缩小与国际先进水平的差距。
三、行业产业链
半导体二极管行业产业链上游主要包括原材料、生产设备、研发与设计等,其中原材料包括硅、锗、硒等半导体材料,以及封装材料等。生产设备晶圆制造设备(光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入机等)、封装测试设备(贴片机、引线键合机、测试分选机等)等。产业链中游为半导体二极管生产制造环节。产业链下游应用领域包括消费电子、通信、汽车电子、工业控制、新能源等行业。
相关报告:智研咨询发布的《中国半导体二极管行业市场发展态势及产业前景研判报告》
四、市场规模
中国半导体二极管行业正处于快速发展与转型升级的关键阶段。2024年,中国半导体二极管行业市场规模为22.57亿美元,同比增长15.33%,主要得益于新能源汽车、5G通信、工业控制等下游应用领域的强劲需求。技术层面,国内企业加速突破。第三代半导体材料(如碳化硅、氮化镓)的应用成为焦点,推动二极管向高频、高效、耐高压方向发展。例如,SiC肖特基二极管已在电动汽车充电桩、光伏逆变器等领域实现规模化应用。此外,光电集成领域取得创新,中国科学技术大学团队提出的三电极光电二极管结构,通过场效应调控实现光通信带宽提升60%,为下一代高速光电芯片提供技术支撑。
根据海关总署数据显示,2025年1-4月,中国二极管及类似半导体器件进口数量为1608亿个,同比增长2.16%;进口金额为537.93亿元,同比下降0.81%。进口呈现数量微增,金额承压。反映出国内市场对二极管等基础元器件的刚性需求仍存,尤其在工业控制、汽车电子等领域,国产化替代尚未完全覆盖的细分品类仍依赖进口。
同期,中国二极管及类似半导体器件出口数量为2290亿个,同比增长14.21%;出口金额为1021.60亿元,同比下降16.45%。出口方面呈现数量高增,价格下行。中国二极管产品在国际市场上的竞争力持续提升,尤其是中低端产品凭借性价比优势,在东南亚、非洲等新兴市场快速渗透。但出口金额同比下降16.45%,揭示出口产品均价大幅下滑。原因包括:一是全球半导体市场周期性波动,需求端以价换量策略盛行;二是国际竞争加剧,中国厂商为争夺市场份额主动降价;三是部分出口产品附加值较低,难以抵御价格战冲击。
五、重点企业经营情况
中国半导体二极管行业企业竞争格局呈现“头部集中、差异化竞争、国产替代加速”的特征。华润微、扬杰科技、苏州固锝等龙头企业凭借技术积累、产能规模及产业链整合能力,占据市场主导地位。例如,华润微拥有完整的IDM(设计-制造-封测)产业链,覆盖功率半导体全品类;扬杰科技在二极管、整流桥等细分领域全球市占率领先,产品进入汽车电子、光伏逆变器等高端场景。而中小企业通过聚焦细分领域实现突围。例如,长晶科技专注第三代半导体材料(如SiC肖特基二极管),产品应用于新能源汽车充电桩;合科泰则以高可靠性二极管切入医疗电子、工业控制等市场。此外,部分企业通过封装创新(如小型化、高频化封装)提升产品附加值。
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年,是国内少数实现半导体分立器件“芯片设计-晶圆制造-封装测试-终端销售”全产业链垂直整合(IDM模式)的领军企业。公司以“成为世界信赖的功率半导体伙伴”为使命,产品广泛应用于汽车电子、新能源、工控、电源等战略领域。公司拥有SOD-323HE超薄封装二极管、N60V SGT MOSFET等创新产品,覆盖整流、保护、小信号等全场景应用。截至2025年,累计授权专利362项(含46项发明专利),2025年1月获“提高体二极管导通性能的SiC MOSFET结构”专利,优化碳化硅器件性能。2025年一季度,扬杰科技营业收入为15.79亿元,同比增长18.90%;归母净利润为2.73亿元,同比增长51.22%。
苏州固锝电子股份有限公司成立于1990年,是全球最大的二极管生产商之一,每月产量达2.5亿只,占全球市场份额8%-9%。公司以“日本的品质、中国的价格、美国的速度”为经营理念,产品出口43个国家和地区,服务3000余家国际客户。公司覆盖“芯片设计-晶圆制造-封装测试”全流程,拥有50多个系列、1500多个品种的二极管产品,包括整流二极管、开关二极管、稳压二极管等。2025年一季度,苏州固锝营业收入为9.01亿元,同比下降20.97%;归母净利润为0.37亿元,同比增长395.60%。
六、行业发展趋势
1、技术升级
中国半导体二极管行业正加速向高端化迈进,第三代半导体材料(如碳化硅SiC、氮化镓GaN)的应用成为核心驱动力。SiC二极管因其耐高压、高频、高温的特性,已广泛应用于新能源汽车充电桩、光伏逆变器等领域,显著提升系统效率。例如,长晶科技等企业已实现SiC肖特基二极管的规模化供应,并布局GaN材料研发,推动二极管向更高功率密度和能效比升级。
2、市场需求多元化
下游需求呈现爆发式增长,新能源汽车、5G通信、工业控制等领域成为主要增量市场。新能源汽车中,二极管在电池管理系统、电机驱动系统的应用量激增,预计单车搭载量将随电动化率提升而翻倍。5G基站建设推动射频二极管需求,同时工业自动化对高可靠性二极管的需求持续增长。此外,光伏逆变器、储能系统对高效整流二极管的需求扩大,推动SiC功率器件渗透率提升。消费电子领域,LED照明、智能家电的普及带动高性能二极管需求,而AIoT设备的兴起则要求二极管向低功耗、集成化方向发展。
3、产业链协同及国产替代
国家政策持续加码,集成电路产业投资基金(大基金)三期落地,重点支持晶圆制造、先进封装等领域,带动二极管产业链协同创新。国内企业通过IDM模式整合资源,如华润微、士兰微等龙头企业覆盖设计、制造、封测全环节,提升高端制造能力。中低端市场已实现较高国产化率,正向高端领域突破,如长晶科技打破国外技术垄断,实现IGBT等产品的国产替代。同时,产业链上下游合作深化,如苏州固锝通过规模化制造和全产业链整合巩固市场地位,而设备、材料国产化率提升(如北方华创的蚀刻设备、沪硅产业的硅片)进一步降低对进口依赖,推动行业向自主可控转型。
以上数据及信息可参考智研咨询(www.chyxx.com)发布的《中国半导体二极管行业市场发展态势及产业前景研判报告》。智研咨询是中国领先产业咨询机构,提供深度产业研究报告、商业计划书、可行性研究报告及定制服务等一站式产业咨询服务。您可以关注【智研咨询】公众号,每天及时掌握更多行业动态。


2025-2031年中国半导体二极管行业市场发展态势及产业前景研判报告
《2025-2031年中国半导体二极管行业市场发展态势及产业前景研判报告 》共十四章,包含2025-2031年半导体二极管行业投资机会与风险,半导体二极管行业投资战略研究,研究结论及投资建议等内容。



