全球MOSFET功率器行业市场规模预测、竞争格局及发展优势：预计2022全球MOSFET市场规模达到523.5亿元[图]

    功率器件分三大类：Si、SiC、GaN。功率半导体器件目前主要基于三类材料：Si、SiC、GaN。Si功率器件是主流，最重要的原因在于成本。Si材料的击穿电压是三者中最低，而SiC和GaN属宽禁带半导体材料，具有更高的带隙，更大的击穿电压。高击穿电压的特性让SiC和GaN在大功率、超高电压控制方面的应用更有前景。但是因为产业链协同发展的阶段不同，与成熟的Si产业链相比，SiC和GaN无论是工艺水平还是供给规模都远远小于Si材料，造成SiC和GaN在成本上难以与Si产业竞争，只能在一些特定的、非成本优先的专用领域才有应用，大体而言，SiC和GaN器件多应用于高压和高频电路。从特性上分类，可以把功率器件分为可控和不可控，不可控的器件无法控制信号的通断；可控器件又分为部分可控和完全可控。晶闸管属于部分可控器件，MOSFET、IGBT、GJT则可以完全按照需要实现信号的控制。

功率器件分类

数据来源：公开资料整理

MOSFET结构图

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    功率器件核心在于通断控制。功率器件的核心应用场景就是控制电路、信号等的通断。但是因为电路场景错综复杂，电流、电压范围很广，因此每种功率器件都有一定的适用范围。BJT适用于较低电压（<1kV）和电流（<500A）的应用场景，其阻抗低，成本低，但开关速度慢，较多应用于低频电路的控制；MOSFET使用的电压和电流（<200A）更低，但其开关速度在ns级别，多用于高频电路；IGBT从电路结构上看，是MOSFET与GJT的结合，因此兼具有二者的特点，同时又有超越二者的性能。IGBT的电压（>1kV）和电流（>500A）极限高，开关速度中等，但相对而言成本比另外两者更高。

三类硅基功率器件性能对比

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    智研咨询发布的《2020-2026年中国MOSFET器件行业市场发展调研及未来前景规划报告》数据显示：全球功率器件年复合增速将保持在3.56%，2018年的总市场规模为2070亿元人民币，预计在2022将达到2381亿元。PMIC是功率器件最大的市场。IGBT则增速最快，增长率达7.62%，但当前市场份额仅为13.67%。

    MOSFET增速与全球功率器件增速接近，占据功率器件22%的市场份额，长期来看仍将保持重要地位。全球MOSFET市场规模在2018年为470.7亿元人民币，预计在2022年达到523.5亿元。全球功率器件市场规模稳步增长，IGBT增速最快，MOSFET需求长期稳定。

2018-2022年全球功率器件分类规模（亿元）

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2018年全球功率器件分类规模占比

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2022年全球功率器件分类规模占比

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    MOSFET需求广泛，汽车电子极速启航。功率MOSFET市场应用占比最多的行业包括：便携设备、音频设备、家电设备、汽车电子、计算存储、工业控制、网络通讯等，其中汽车电子和计算存储是应用占比最大的两个行业。车用MOSFET的市场增速（2016-2022年）预计维持在5.11%，是MOSFET应用中增长最快的细分领域。全球车用MOSFET的规模预计在2022年达到116亿元人民币，占MOSFET总体的比重为22.2%，是全球MOSFET增长的重要推动力。

2016-2022功率MoSFET细分应用市场规模预测(亿元)

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    MOSFET行业中国市场排名前十的全是国外巨头，国内厂商士兰微排名最高，第十一名，市占率只有2%。《中国制造2025》要求，到2020年中国芯片自给率要达到40%，2025年要达到50%，目前距离这个比例还有很大空间，国内厂商迎来机遇。

中国大陆MOSFET竞争格局

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    SiC-MOSFET具能效优势，可与IGBT竞逐600-1200V市场。基于SiC材料的MOSFET在同一电压下比Si基的IGBT具有更大的导通电流，即更低的导通电阻。

    同时SiC相比于Si材料具备等高的击穿电压，可以拓宽MOSFET的应用场景。IGBT的最主要问题是开关通断时有损耗：当开关打开时，IGBT的导通电流会陡然增加然后回落至额定的通路电流，高出额定通路的那部分电流为开关导通带来损耗。但SiC-MOSFET则具有更小的损耗；当开关关断时，IGBT存在尾电流，即电流拖尾现象，带来损耗。而SiC-MOSFET则只有很小的尾电流，具有很高的开关比。特别强调，电动车对于电池续航需求极其严苛，功率器件如果对能量转化的效率不高导致累积的损耗过多，会影响电动车电池续航。而SiC-MOSFET具有低损耗的能效优势。

SiC-MOSFET与Si-IGBT特性比对

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Si-IGBT与SiC-MOSFET的导通损耗

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Si-IGBT与SiC-MOSFET的关断损耗

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