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2018年全球半导体光刻胶市场规模预测【图】

半导体光刻胶 2018-08-02 07:16

半导体光刻胶种类非常繁多，目前市场上已得到实际应用的主要半导体光刻胶，从曝光波长来分，可分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）和ArF（193nm）等4个种类。目前分辨率最高的半导体光刻胶为ArF光刻胶。

半导体光刻胶分类

光刻胶种类	对应曝光波长	对应IC制程技术节点	注释
g线光刻胶	436nm	0.5µm以上	正性胶为主，主要原料为酚醛树脂和重氮萘醌化合物
i线光刻胶	365nm	0.5~0.35µm	正性胶为主，主要原料为酚醛树脂和重氮萘醌化合物
KrF光刻胶	248nm	0.25~0.15µm	正性胶和负性胶都有，主要原料为聚对羟基苯乙烯及其衍生物和光致产酸剂
ArF（干法）	193nm	65~130nm	正性胶，主要原料是聚脂环族丙烯酸酯及其共聚物和光致产酸剂
ArF（浸湿法）	193nm	45nm以下	正性胶，主要原料是聚脂环族丙烯酸酯及其共聚物和光致产酸剂

数据来源：公开资料整理

g线和i线光刻胶是目前市场上使用量最大的光刻胶，但g线和i线光刻胶对应的IC制程节点较为早期。随着未来功率半导、传感器、LED市场的持续扩大，i线光刻胶市场将保持持续增长。随着精细化需求的增加，未来一些使用i线光刻胶的应用将切换成KrF光刻胶，推动KrF光刻胶市场的增长。ArF光刻胶对应IC制程节点最为先进，在7nm制程的EUV技术成熟之前，ArF光刻胶仍将是主流，且随着双/多重曝光技术的使用，光刻胶的使用次数增加，ArF光刻胶的市场将快速成长。

全球光刻胶的市场份额