2016年全球IGBT行业市场需求分析（图）

    1、全球半导体功率器件市场需求分析

    据美国半导体行业协会统计数据：2015年12月，全球半导体产业销售额为276.2亿美元，较上年同期的291.3亿美元下降4.4%； 2015年1-12月全球半导体产业销售额达到3335.2亿美元，同比下降0.2%。

2007-2014年全球半导体产业销售额

资料来源：美国半导体行业协会

    2015年12月美洲半导体产业销售额度为5.75亿美元，同比下降14.5%，环比下降5.2%；欧洲市场销售额为2.77亿美元，同比下降7.9%，环比下降5.7%；日本市场销售额为2.57亿美元，同比下滑8.1%；环比下降为4.4%。

2015年12月全球半导体产业销售额区域分布格局（十亿美金）

资料来源：美国半导体行业协会

    2014年12月美洲半导体产业销售额度为67.3亿美元，同比增长16.0%，环比增长3.1%；欧洲市场销售额为30.1亿美元，同比增幅为1.6%，环比下降5.8%；日本市场销售额为28.0亿美元，同比下滑4.4%；环比下降为4.6%。

2014年12月全球半导体产业销售额区域分布格局（十亿美金）

资料来源：公开资料整理

1996-2016年12月全球半导体产业销售额及增速走势图

资料来源：公开资料整理

    由于能源高效、清洁利用的核心都在于各种能源形式的高效率控制和转换，随着清洁能源、新能源开发、产品节能等领域的发展，高性能的功率器件具有持续增长的动力。

功率半导体器件在能量形式的控制和转换中起核心作用

资料来源：公开资料整理

    目前常用的功率器件包括MOSFET、IGBT、GTO、Bipolar 等，其中IGBT 的核心应用范围一般在耐压600V 以上、电流10A 以上、频率为1kHz 以上的区域。

    而在高压大电流的领域，GTO（可关断晶闸管）由于具有极高的耐压能力和较大的通过电流，仍占有统治地位。MOSFET 耐压能力较小（小于1000V），在小电流工作状态下其关断损耗较小、频率特性好，在中低压、小电流、高频领域占有优势。

各类型功率器件的适用频率和功率范围、应用领域

资料来源：公开资料整理

    据统计，2015年全球功率半导体市场规模将达184.23亿美元，比前年减少7.0%。负增长的原因有以下三点。第一，中国和欧洲市场景气指数减少，需求低迷；二是民生设备用电源增长放缓；三是参加的企业增加，成本竞争加剧。

    民生设备方面，进入2015年以来，面向PC和FPD用电源的MOSFET订单减少，2015年1-6月业务发展形势较为不理想。因此，民生设备方面，电源生产基地集中的亚洲地区的二极管、MOSFET的出货金额同比有所减少。2015年下半年开始，库存调整告一段落，2016年开始接到产品模型订单，市场呈缓慢恢复基调。

    工业领域中，无停电电源设备方面的业务形势发展较好。将使用在工业用机器人（300024）、NC工作机械、半导体生产设备上。2015年汽车和智能手机出货量形势较好，工业用机器人和NC工作机械需求增加，和servo电动机用IPM数量扩大相关。

    另一方面，汽车用功率半导体业务发展形势较好。随着电装产品的增加，每台车子的ECU数量增加，安装在ECU上的二极管和MOSFET的需求增加。

2010-2015年全球功率半导体需求规模统计（亿美元）

资料来源：Infineon、富士经济

    2、全球IGBT市场需求分析

    最原始的IGBT概念是在1980年代的前半期就被引出来，它是采用DMOS平面栅技术在两层外延（n+层和n-层）硅片上制成的。此后，IGBT技术的演变不仅是在表面结构上，而且也在重直结构上，并得到加速发展以满足逆变化的功率变换系统的需要。其结果，最新的IGBT技术推演出一种最新的表面结构“CSTBT”器件，这就是“载流子储存的沟槽型双极晶体管”，以及一种最新的重直结构“LPT”器件，即“弱穿通”型IGBT。这两种新结构能够显著地改进通态电压、开关性能及安全工作区（SOA）相互之间的折衷。以IGBT表面结构来区分的话，目前其技术发展一共经历了六代的发展。在技术进步的同时，其能耗也随之大大降低。

IGBT技术发展路径

资料来源：公开资料整理

IGBT能耗演变图

资料来源：公开资料整理

    IGBT既具有MOSFET 器件驱动功率小、开关速度快的优点，又具有双极型器件容饱和压降低而容量大的优点，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，特别是在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

    IGBT 的工业应用包括交通控制、功率变换器、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费方面，IGBT 用于家用电器、相机和手机等。

    据Infineon 统计：2010年全球IGBT市场规模为30.06亿美元，2011年全球IGBT市场规模激增至40.34亿美元，增速达34%。当中Infineon公司IGBT销售业务从2010年的6.1亿美元上升至2011年的7.8亿美元。2012-2013年全球IGBT市场规模下滑较为明显，2014年全球IGBT市场规模回升至38.45亿美元，2015年全球IGBT市场规模回落至36.21亿美元。

2010-2015年全球IGBT市场规模统计

资料来源：Infineon

    国外研发IGBT器件的公司主要有英飞凌、ABB、三菱、西门康、东芝、富士等。中国功率半导体市场占世界市场的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，90％主要依赖进口，基本被国外欧美、日本企业垄断。

    相关报告：智研咨询发布的《2017-2023年中国IGBT行业分析及市场前景调研报告》

    国外企业如英飞凌、ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格涵盖电压600V-6500V，电流2A-3600A，已形成完善的IGBT产品系列。

国外IGBT制造企业以大功率IGBT生产为导向

资料来源：公开资料整理