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2018年全球集成电路销售额创历史新高,IGBT行业规模达到58.36亿美元,预计今后几年IGBT行业市场规模增速依然保持稳定增长[图]

    2017年第四季集成电路销售额为1140亿美元,季增5.7%、年增 22.5%。2017年全年集成电路销售额为 4122亿美元,创下空前新高,年增率为21.6%。2018年全年全球半导体产业销售额达4688亿美元,较2017增长13.73%。

2007-2018年全球半导体产业销售额情况

资料来源:美国半导体行业协会、智研咨询整理

    作为最大存储芯片供应商,三星在2018年半导体市场的份额达到15.9%,连续两年蝉联全球第一的宝座,自1992年以来,英特尔一直占据第一名宝座,2017年三星市场份额升至第一位,替代英特尔。

2018年全球半导体厂商销售额TOP10(单位:百万美元)

2018年排名
厂商
2018年收入
市场产比:%
2017年收入
市场产比
2016 年收入
市场占比:%
2015年收入
1
三星电子(Sumsung Electronics)
75854
15.9
61215
14.6
40104
11.70
37852
2
英特尔(Itel)
65862
13.8
57712
13.8
54091
15.70
51690
3
SK hynix
36433
7.6
26309
6.3
14700
4.30
16374
4
Micron Technology
30641
6.4
23062
5.5
12950
3.80
13816
5
Broadcom Ltd.(formerly Avago)
16544
3.5
15490
3.7
13223
3.80
4543
6
Qualcomm
15380
3.2
17063
4.1
15415
4.50
16079
7
Texas Instruments
14767
3.1
13806
3.3
11901
3.50
11635
8
Western digital
9321
2.0
9181
2.2
4170
120.2
-
9
ST Microelectronics
9276
1.9
8031
-
-
-
-
10
NXP Semiconductors
9010
1.9
8750
-
-
-
-

资料来源:公司财报

    2018年全球功率半导体(功率器件、功率模块、功率 IC、其他)市场销售额从2017年的695.8亿美元增长了3.12%达到717.5亿美元。

2011-2018年全球功率半导体市场规模走势

资料来源:美国半导体行业协会、智研咨询整理

    2017年全球IGBT市场规模为52.55亿美元,同比2016年增长16.5%,2018年全球IGBT市场规模在58.36亿美元左右。

2010-2018年全球IGBT市场规模走势

资料来源:Infineon、智研咨询整理

    全球IGBT行业市场集中度高,当中2017年英飞凌三菱集团(Infineon)占全球市场份额的27.1%;三菱(Mitsubishi)市场占有率为16.4%;日本富士电机(Fuji Electric)市场占有率为10.7%,2017年全球前五大生产商占据市场总量的67.5%。

2016-2017年全球IGBT市场格局

资料来源:英飞凌年报2018、智研咨询整理

    在下游市场需求的推动下,近年来我国国内企业在IGBT产品领域的研发投入呈明显上升趋势,行业整体产量从2010年的190万只增长至2018年的1115万只,国内市场消费量从2010年的2252万只增长至2018年的7898万只。

2010-2018年我国IGBT产品产销量统计图

资料来源:智研咨询整理

    目前我国IGBT 优秀企业不多,南车时代、比亚迪等均主要为自己的高铁和新能源汽车做配套,华微电子属于国内在消费类IGBT 市场的龙头企业,此前主要产品是第四代产品,和国际龙头差距较大,公司非常重视也极为看好战略性新兴产业的发展给功率半导体产业带来的广阔空间,因此公司进一步加大新技术、新产品的研发投入,研发投入达到营业收入的6%以上,研发的重心以符合国家战略性新兴产业发展需求的第四代、第六代IGBT产品、COOLMOS产品以及TRENCH SBD等为主,力求实现高端功率半导体核心技术快速突破。目前新技术产品已陆续应用于市场,随着公司新技术、新产品的系列化,将真正实现国内自主技术在中高端市场的规模化应用,有效加快公司的客户、市场结构调整步伐,进而提升公司整体运营质量,实现公司经营业绩的提高。

国内主要IGBT生产企业产能配置

公司
业务类型
最新进度
科达半导体
芯片制造
功率半导体封装测试项目按计划已于2011 年2月2 3日正式投产运营, 设计年产能为3 .1亿只, 年产值3亿元以上。自主研发的1200V 的IGBT成功入选2010年国家重点新产品计划。2011年重点开发场终止技术IGB T和沟槽IGBT、汽车节能及新能源汽车专用IGBT芯片。
华微电子
芯片制造
2010年IGBT产品研发成功, 公司已经搭建起IGB T产品基础工艺平台, 并使产品进一步实现系列化研发成为可能。开工建设新型电力电子器件基地项目,计划首期建设一条年产426万片扩散片、420 万片外延片的材料片生产线。
中环股份
芯片制造
研发出IGBT用区熔硅单晶抛光片填补了国内空白, 已成功打入国际市场; 研制出国内首类1200V沟槽型非穿通(NPT) IGBT系列产品, 可应用于家电; 开发出3 300V平面型IG BT样品,可应用于机车与电网。
无锡凤凰半导体
芯片制造
量产产品线已经涵盖600V、1200V、1700 V三种系列的多种型号。建设有国内首条NPT-IGBT芯片薄片生产线, 可以测量IGBT全部静态及动态参数。公司拥有芯片生产线及与生产配套的可靠性实验室、器件测试实验室、失效分析实验室等。
比亚迪
芯片制造
顺利组装成IG BT模块, 并成功在电动汽车台架上进行了测试; 可供货1200V系列。电动汽车用大功率IGBT 模块产业化项目列入国家新型电力电子器件产业化专项。
上海贝岭
芯片制造
完成了1200V和600V IGBT的设计、试制和测试及评估工作。获得2010年度发改委《1200V-1700V沟槽结构NPT型IGBT开发及产业化》项目800万元资金支持。
长电先进封装公司
IGBT 单管封装
长电科技子公司、中外合资性质。
西安爱帕克
模块
合资公司, 外方提供IGBT芯片。2010年推出1700V 100A-300A 快恢复模块, 用于满足轻轨,风电等需求。
威海星佳电子
模块
公司IGBT 产品纳入威海市十二五新型元器件发展规划。
中国南车
芯片
年产12万片IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件
嘉兴斯达半导体
IGBT器件
年产能近300万只

资料来源:智研咨询整理

    目前中国 IGBT 行业中高端技术已有突破,初步形成从芯片设计到芯片封装的产业链,较强的成本优势将是中国本土企业与国外公司竞争的有力手段。伴随着未来几年 IGBT 市场的高速增长,国产化进程的启动将会使产业链覆盖的公司受惠。

    我国IGBT行业发展至今,已取得较大进展,虽然仍需大量进口,但已有一部分企业具备规模化生产能力。2010年我国IGBT功率电器模块产量为190万只,2018年增长至1115万只。

2010-2018年中国IGBT行业产量

资料来源:智研咨询整理

    智研咨询发布的《2019-2025年中国IGBT行业市场深度监测及投资机会研究报告》内容显示,在新能源、节能环保“十二五”规划等一系列国家政策措施的支持下,国内IGBT的发展获得巨大的推动力,市场持续快速增长。“十三五“期间,国内IGBT国产化加速,IGBT需求迅猛发展,到2018年,国内IGBT市场规模达161.9亿元。近几年我国IGBT市场规模情况如下图所示:

2010-2018年我国IGBT市场规模情况

资料来源:智研咨询整理 

本文采编:CY205
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