CMP化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing）工艺是半导体制造过程中的关键流程之一，利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。
CMP工艺的工作原理
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相关报告：智研咨询发布的《2018-2024年中国CMP抛光材料市场深度监测及未来前景预测报告》
CMP是一个平坦化处理的过程，旋转的工件以一定的压力压在随工作台一起旋转的抛光垫上，由磨粒和化学氧化剂等配成的抛光液在晶片与抛光垫间流动，在工件表面产生化学反应，生成易于去除的氧化表面，再通过机械作用将氧化表面去除。最后，去除的产物被流动的抛光液带走，露出新的表面，若干次循环去除后最终获得均匀的平坦化晶圆表面。
CMP材料细分市场份额
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最终CMP抛光的效果与多种因素有关，其中抛光液的种类、粒径大小、颗粒分散度、物理化学性质等均与抛光效果紧密相关。此外，抛光垫的属性（如材料、平整度等）也极大地影响了CMP抛光的效果。
CMP抛光材料分类
材料 | 类型 | 优点 | 备注 |
抛光垫 | 硬质 | 比较好地保证表面的平整度 | 包括各种粗布垫、纤维织物垫、聚乙烯垫等 |
- | 软质 | 可获得加工变质层和表面粗糙度都很小的抛光表面 | 包括聚氨酯垫、细毛毡垫、各种绒毛布垫等 |
抛光液 | 酸性 | 具有可溶性好、酸性范围内氧化剂较多、抛光效率高等优点 | 常用于抛光金属材料，例如铜、钨、铝、钛等 |
- | 碱性 | 具有腐蚀性小、选择性高等优点 | 常用于抛光非金属材料，例如硅、氧化物及光阻材料等 |
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随着集成电路芯片工艺制程技术的不断进步，芯片的集成度不断提高，使得晶圆制造对硅片表面的平整度要求也不断提高，因此对CMP工艺的需求不断增加。例如，深亚微米DRAM所需的硅片需进行3-6次CMP，深亚微米MPU需进行9-13次CMP。根据数据，2015年全球CMP抛光材料市场规模达到15.9亿美元，预计到2017年将达到17.2亿美元。
2012-2017年全球半导体CMP材料市场规模
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2012-2017年中国半导体CMP材料市场规模
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在市场格局方面，抛光垫目前主要被陶氏化学公司所垄断，市场份额达到90%左右，其他供应商还包括日本东丽、3M、台湾三方化学、卡博特等公司，合计份额在10%左右。抛光液方面，目前主要的供应商包括日本Fujimi、日本HinomotoKenmazai，美国卡博特、杜邦、Rodel、Eka，韩国ACE等公司，占据全球90%以上的市场份额，国内这一市场主要依赖进口。
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2024-2030年中国CMP抛光材料行业市场现状调查及未来趋势研判报告
《2024-2030年中国CMP抛光材料行业市场现状调查及未来趋势研判报告》共十二章，包含中国CMP抛光材料产业市场竞争策略建议，中国CMP抛光材料行业未来发展预测及投资前景分析，中国CMP抛光材料行业投资的建议及观点等内容。
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