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2017年中国存储器价格走势分析及预测【图】

    终端、云端应用增长爆炸,存储器销售额预计增长 58%,达 1220 亿美元。终端方面,手机存储升级、PC 固态硬盘渗透率提升是拉动需求主因。2016 下半年以来各大手机厂商RAM、Flash 容量纷纷升级,以苹果手机为例,iPhone7 Plus 起运行内存由 2GB 升至 3GB,苹果全线手机闪存最低配置由 16GB 升至 32GB,iPhone8 起闪存最低配置升至 64GB,最高至 256GB;安卓厂商则纷纷推出 6GB 运行内存机型,主流机型 64GB 闪存已较为寻常。PC 固态硬盘(SSD)相较机械硬盘(HDD)具有读写速度快、防震动、无噪音、轻薄、节能等一系列优点,SSD 取代 HDD 是未来趋势,当前限制因素主要是 SSD 成本偏高。2015 年 PC 市场 SSD 渗透率为 25%,2017 年已达 40%。云端方面,企业级 SSD 存储需求是重要成长点,应用包括视频安防、云端服务器等领域。以监控存储需求为例,每台 1080P 设备每天大概产生 40GB 的存储需求,每年达 14TB。云端服务器市场客户包括 Facebook、亚马逊(Amazon)、百度、阿里巴巴、Google 等,2017 年市场规模 1840万台。HDD 由于容量大、成本低目前仍是云端市场主流,约占 80%,中长期来看,随着 3DNAND 技术逐渐成熟,SSD 取代 HDD 速度或将加快,届时对 NAND Flash 需求或爆发,恐再次出现供不应求现象。预计 2017 年存储器市场同比增长 58%,销售额达 1220亿美元。

笔记本电脑 SSD 渗透率

数据来源:公开资料整理

    相关报告:智研咨询发布的《2017-2022年中国存储器市场运行态势及投资战略研究报告

    NANDFlash、DRAM 为存储器市场主力军,NORFlash 市场小但机会大。按照市场规模看,DRAM 约占存储器市场 53%,NANDFlash 约占存储器市场 42%,二者合计份额达95%,为存储器市场主要构成产品。2017 年 NAND Flash 销售额预计年增 44%,DRAM 销售额预计年增 74%,拉动作用极其明显。NOR Flash 主要机会在于市占率约 25%的赛普拉斯、市占率近 20%的美光陆续退出市场,而物联网、工控应用等市场需求依旧旺盛,对于现有玩家而言填补市场机会巨大。从长期角度来看,NANDFlash仍为未来市场主要方向。2020 年 NANDFlash 市场规模上看 650亿美元。

全球存储器产品结构(按销售额)

数据来源:公开资料整理

图全球存储器销售额及年增率(百万美元)

数据来源:公开资料整理

    NAND Flash 存储价格上涨分化,部分产品短期价格有所回调。2017 年 Q1 至 Q3 NANDFlash 延续了 2016 年的涨势,2017 年初至 10 月 128GbMLC 涨幅达 44%。在大趋势上涨之下,自 2017Q3 开始,NAND Flash 部分产品价格涨势放缓并有所回调,其中 64GB MLC价格于 2017Q3 下降 8%左右。NANDFlash 下游嵌入式存储 eMMC 及 SSD 价格总体呈上涨趋势,Q3 以来同样呈微幅震荡态势。后期 NANDFlash 价格走势仍不明朗。

NAND Flash 价格(单位:美元)

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NAND Flash 下游嵌入式存储和 SSD 价格(单位:美元)

数据来源:公开资料整理

    NAND 存储器技术处于变革关键时间点,未来价格关注 3D 产能情况。NAND 存储器制程转换遭遇瓶颈,采用 3D 堆叠技术为主要解决方案。3D 产能目前三星投产率、良率最高,其 64 层 3D-NAND 三季度已进入量产阶段,3D 产出占投产量达 50%,其他厂商亦在 Q3 有所放量,粗略估计 2017Q3 全球新增产能超 20 万片/月,新增产能对 NAND Flash 供应紧缺的压力有所缓解。

    同时,3D NAND Flash 存储密度高,单位容量成本低:据中国闪存市场网估计,3D NAND 技术下每 GB 成本约 0.1 美金,较 2D 结构至少低 30%。在 48 层 3D TLC架构下,1TB SSD 成本已低于 2D TLC 架构,3DNAND 较 2DNAND 更为经济。另一方面,NANDFlash 下游需求增长空间仍大:智能手机及 SSD 渗透率提升仍构成 NAND Flash 的巨大需求。供给产能的缓解与需求空间的提升对 NAND Flash 价格构成相反影响,未来价格变化依旧有待观察。

2017 年 NAND Flash 主要厂商产量(单位:万片)

数据来源:公开资料整理

2017 年主要 Flash 原厂新增 3D NAND 投产规划

原厂
工厂
2017 年规划
产能情况
三星
Fab17
2017Q1 量产 64 层 3D V-NAND
初期产能约 3 万片/月,后期整体产能约 10 万片/月。
Fab18
2017Q3 出货 64 层 3D V-NAND
初期产能约 7-8 万片/月,后期总产量将达 20 万片/月
东芝/WD
Fab2
2017Q1 逐步转向 64 层 3D V-NAND,预计下半年大规模量产
初期产能 5 万片/月
Fab6
2017 年 3 月建设 Fab6 工厂,2018Q3 投入 64 层3D V-NAND 量产
未知
美光
IMFS
2017 年开始逐步转向 64 层 3D V-NAND,预计 Q3中旬开始出货
整体产能约 13 万片/月
F10x
2017Q2 开始试产 64 层 3D V-NAND,预计 Q3 中旬开始出货
整体产能约 10-12 万片/月
SK 海力士
M14
2017 年 4 月完工,下半年试产72层3D V-NAND
未知

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2D 和 3D 1TB SSD 成本对比(单位:美元)

数据来源:公开资料整理

    DRAM 价格继续走强,维持上涨态势。DRAM 价格于 2017Q2 有所回调,2017Q3 后则继续维持 2016 年以来涨势,2017 年初至 10 月,DDR3 4G 1600MHz 价格上涨 25%左右。拉动 DRAM 价格上涨原因主要有:(1)需求端来看,终端云端需求不减:终端智能手机内存容量升级,云端服务器、数据中心的强劲需求均拉动 DRAM 需求的增长。(2)供给端来看,DRAM 厂产能增加有限:三大 DRAM 厂(三星、海力士、美光)产能增加空间已相当有限,接近满载,从产能规划来看,2018 年新增投片量仅约 5-7%,源于现有工厂产能的重新规划,资本支出倾向于保守,仅 SK 海力士决议在无锡兴建新厂,最快产能开出时间落在2019 年。需求供给两侧来看,预计 2018 年 DRAM 价格仍将维持上涨态势。

DRAM 价格(单位:美元)

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    NORFlash 价格季涨 10%~15%,供不应求涨势延续。由于 NORFlash 市场较小,2016年以来 NORFlash 巨头美光及 Cypress 纷纷宣布淡出,退至较高端车用及工控市场,主要供应转入旺宏、华邦电、兆易创新等厂商,一时间供给不及需求,涨价幅度迅速扩大。由于芯片内执行的特性,NORFlash 尚无法被完全取代,未来市场机会较大。兆易创新目前全球NORFlash 市占率排名第六,与台厂采用 IDM 模式 8 寸和 12 寸晶圆产线均扩产谨慎不同,兆易创新采用 12 寸晶圆 Fabless 代工模式,主要代工厂从武汉新芯向中芯国际逐步转移,未来理论产能较为充足,大幅受益于产品价格上涨。

NORFlash 厂商市占率

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本文采编:CY331
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2024-2030年中国dram存储器行业发展模式分析及未来前景规划报告
2024-2030年中国dram存储器行业发展模式分析及未来前景规划报告

《2024-2030年中国dram存储器行业发展模式分析及未来前景规划报告》共十四章,包含中国DRAM存储器行业主导企业分析,2024-2030年中国DRAM存储器行业的前景趋势分析,2024-2030年中国DRAM存储器行业投资前景及发展建议等内容。

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